
电阻率介于导体(10~1μΩ·cm)和绝缘体(104~109μΩ·cm)之间的材料。半导体材料通常为单晶材料。按组成、结构和性质可分....
硅半导体晶片、锗半导体晶片、氧化物半导体晶片以及化合物半导体晶片等的总称。主要由p-n结、电极、表面保护膜等构成。
性质介于金属和非金属之间的元素,包括B、Si、As、Te、Se、Po和At以及通常被认为是金属的Ge和Sb。亦称准金属或类金属。一般性....
矫顽力HC介于1000~24000A/m的永磁材料。一般要求半硬磁材料具有高的剩磁Br和矩形磁滞回线。包括名词解释:(1)淬火型半硬磁....
介于镇静钢和沸腾钢之间的钢种。这种钢内部气体少,结构接近于镇静钢。半镇静钢浇铸初期不产生气泡,当顶部自然凝固封顶后,由....
柱状晶体延伸到圆柱体长度的大约一半且其长度稍大于其直径的柱形Alnico磁体。这种磁体可用单面激冷铸造法制取,铸型不用放热....
长度和截面周长之比相当大的直条金属材料。是断面形状简单没有明显的凹凸分枝部分的一种型材,包括方形、圆形、扁形和六角形....
厚度一般为0.1~4mm,宽度为500~2000mm的板材。薄板的生产工艺有将几层钢板叠在一起用二辊轧机热轧成薄板的叠轧法和在单机架....
一种厚度为0.03~0.04mm,宽度小于等于6mm,且横截面具有两边薄、中间厚的钼扁丝,是用钼丝经轧制而成。常用作电真空器件和特种....
气相状态的蒸发物质在基板上沉积凝固而形成的膜。其厚度从单原子层、单分子层到5μm。薄膜的制法有溅射蒸发法(直流溅射、高....
采用真空蒸镀、直流或交流溅射、化学沉积等方法制成的厚度一般在0.5~1μm以下的膜式电阻材料。薄膜电阻材料有名词解释:Ni-....
磁化强度达到饱和的磁感应强度值,亦称饱和磁通密度,通常用符号Bs表示,单位为T。由于即使在强磁场中B值也不可能达到恒定不变,....
浇注时采取某些措施,减少钢液的二次氧化或提高铸件表面质量的浇注方法。如真空浇注、惰性气体保护浇注、渣保护浇注等。
对于强磁性(铁磁,亚铁磁)材料,磁化到饱和时其磁感应强度达到饱和磁感应强度Bs,从Bs经Br(剩余磁感应强度),HC(矫顽力)到-Bs再....
检验金属薄板和带材延性和冷冲压变形性能的一种试验。常用的是艾利克森(Erichsen)法,即用一规定的钢球或球状冲头向夹紧于规....
利用半导体晶体产生激光并完成放大效果的元件。分为同种接合、单一异种结合及双重异种结合等几种。该元件所使用材料以化合物....