采用真空蒸镀、直流或交流溅射、化学沉积等方法制成的厚度一般在0.5～1μm以下的膜式电阻材料。薄膜电阻材料有名词解释：Ni-Cr系、Ta系、Si系、金属陶瓷系电阻薄膜以及Au-Cr、Ni-P等电阻薄膜。其方阻Ra名词解释：1～100kΩ/□,电阻率ρ名词解释：1.32～60.0μΩ·m,电阻温度系数|α|名词解释：0～250×10-6℃-1,电阻稳定性(在一定温度下,保温一定时间后的电阻相对变量)△R/R(125℃,1000h)名词解释：0.05%～2%。采用上述方法生产的薄膜材料与一般常规冶金生产工艺生产的合金不同,它既具有晶态合金的某些特性,又具有非晶态合金的某些特点,表面效应较大,导电机制也不全相同。因此薄膜电阻材料阻值可以很大,方阻到10MΩ/□,电阻温度系数可达到-5000×10-6℃-1。从合金粉、合金溶液、合金靶材直接制成电阻器,省去常规冶金生产工艺许多工序,而且可以生产出不能用常规冶金生产工艺生产的崭新的电阻材料。薄膜电阻材料在制成正式电阻器前,需进行热处理,以保证电阻温度系数在要求范围内。热处理温度一般在300～650℃,有时也到800℃。薄膜电阻材料多数是做0.05～10W小功率的电阻器、电位器、可变电阻器,其阻值在1～148MΩ。用于一些仪器、仪表中或在集成电路中充作电阻元件。
