1)由于肖特基势垒的高度低于PN结势垒，其正向导通mosfet和正向压降低于PN结二极管(低0.2V左右)。
2)因为SBD是多数载流子传导器件，所以不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充放电时间，与PN结二极管的反向恢复时间完全不同。由于SBD的反向恢复电荷很小，SBD的开关速度很快，开关损耗很小，所以特别适合高频应用。然而，SBD的反向击穿电压相对较低，因为SBD的反向势垒较薄，在其表面容易被击穿。因为SBD比PN结二极管更容易热击穿，所以反向漏电流比PN结二极管大。
