IGBT芯片是一种新型电力电子器件，广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。中国微电子自2008年开始研发第一代IGBT芯片以来，已经研发了四代IGBT芯片，目前正在研发集成电流传感和温度传感的第五代IGBT芯片。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极晶体管，是一种由BJT (Bipolar Transistor)和MOS(Insulated Gate Field Effect Transistor)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流高；MOSFET驱动功率低，开关速度快，但开关压降大，载流密度低。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。非常适合用于DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT模块是一种模块化半导体产品，由IGBT(绝缘栅双极晶体管芯片)和续流二极管芯片(续流二极管芯片)通过特定的电路桥封装而成。封装后的IGBT模块可直接应用于逆变器、UPS等设备。
IGBT模块具有节能、安装维护方便、散热稳定等特点。目前，这些模块化产品大多在市场上销售。一般来说，IGBT也指IGBT模块。随着节能环保理念的推广，这类产品在市场上会越来越常见；
IGBT是能量转换和传输的核心器件，俗称电力电子器件& ldquoCPU & rdquo作为国家战略性新兴产业，广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车、新能源装备等领域。
