摩尔定律指的是在价格不变的情况下，芯片上可容纳晶体管数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
从当前芯片制造来看，要实现摩尔定律，芯片制造工艺必须不断提升。
工艺节点从90nm、65nm、40nm、28nm、16nm到现在的7nm，芯片厂家不遗余力地减小晶体管栅极宽度来达到工艺的升级，但到了7nm之后，晶体管的漏电问题越来越严重，单纯靠减少晶体管栅极宽度的方法已经无法提升芯片制造工艺。
这个时候各厂家各显神通，采用不同的方法解决漏电问题。
intel的高介电薄膜、SOI、鳍式场效电晶体技术等等技术应运而生。
不过难度越来越大，各大厂家受阻严重，GlobalFoundaries放弃7nn研发，intel的10nm一推再推，目前7nm量产顺利的主要就是台积电和三星了。
台积电的5nm预计明年Q1量产，华为的最新麒麟990预计将采用5nm工艺。
而最新的新闻，台积电的3台积电的5nm预计明年Q1量产，华为的最新麒麟990预计将采用5nm工艺。
而最新的新闻，台积电的3nm工艺已经启动，预计2022年量产，后面的工艺进步越来越难，需要新的技术上的突破。
纯硅基芯片的物理极限的确是7nm,低于7nm硅原子就会出现电子漂移，但人们通过研究在硅基上参入金属离子，在源极和漏极埋下一层强电介质膜来解决了漏电问题。
