21世纪资本研究院实习生张赛楠谢凯丽上海报道
2021年净利润将增长21倍。这样的增速绝对是当前半导体板块当之无愧的王者。
这一成绩是电力IDM龙头士兰威(600460)取得的，21倍的增速也是公司近10年交出的最好答卷。
在日前公布的年报中，士兰威对公司的高速增长进行了解释，并将其归结于下游需求的增长，但市场对公司经营的好奇显然并未就此止步。
4月1日，21世纪经济报道记者向史进一步求证业绩增长的原因。相关负责人证实了一些市场判断。“主要是产品结构优化和产能扩张。可以说IDM模式对公司有利。”
本期《21硬核投研》针对士兰威，从业绩、模式、出路、秩序四个维度进行分析。
表演
卫兰成立于1997年，2003年上市。
公司前期以IC设计业务为主，采用Fabless(无芯片制造)模式，之后业务模式转向IDM(设计制造一体化)模式。目前，其主要产品包括集成电路、分立半导体器件和LED(发光二极管)产品。
2021年，士兰威迎来业绩爆发期，实现营业总收入71.94亿元，比上年增长68.07%；归属于母公司股东的净利润15.18亿元，比上年增长2145.25%；每10股派发现金红利人民币1.00元(含税)。
2020年，士兰威还是会亏损。
扭亏为盈，增长数十倍，士兰威将业绩归因于主营业务产品结构的优化和产能增长。
卫兰表示，2021年将完成年初制定的芯片制造和封装产能建设目标，产品在白电、通信、工业、光伏、新能源汽车等高门槛市场取得突破；电源芯片、MEMS传感器、IPM(智能功率模块)、MOSFET、IGBT、SBD、TVS、FRD、LED等产品营业收入大幅增长，产品结构不断优化，产品综合毛利率显著提升，营业利润大幅增长。
其次，子公司石兰纪信公司8英寸芯片生产线基本保持满产，产品综合毛利率提升至20.70%；另一家子公司石兰明芯公司LED芯片生产线公司实现满产高产，产品综合毛利率提升至16.88%。上述两家公司均实现全年盈利。
值得一提的是，2021年，士兰威持有的其他非流动性金融资产的升值贡献了超过5.8亿元的净利润，占利润总额的38%以上。具体来看，受益于世兰威持股的安陆科技在科技创新板上市，净利润增加5.3亿元；2021年，视芯科技引入外部投资者，增加净利润5229万元。
非流动性金融资产对士兰威利润的影响在去年第四季度最为直观。在2021年15.18亿元的净利润中，前三季度净利润合计7.28亿元。这意味着，第四季度公司净利润接近7.9亿元，超过前三季度之和，主要是因为安陆科技上市，当期确认了更多的公允价值变动收益。
此外，值得注意的是，近10年来，士兰威归母净利润从未超过2亿元，最高年份仅为1.7亿元。梳理之前公司业绩不佳的原因，大部分是RD投资、项目建设、折旧、投资建设能力尚未进入收获期等。
今年1月，石曾对媒体表示，“公司的IDM模型偏向于资产属性，其利润波动与公司的发展阶段有很强的相关性。前几年，公司继续在产品技术研发、生产线建设等方面进行高强度投资。，导致各种成本费用快速增加，而改善收入结构，增加收入需要一个漫长的过程。总体来说，前期的投入已经逐渐有了成效。”或者说这从根本上解释了公司业绩爆炸的原因。
模型
4月1日，21世纪经济报道记者向史进一步求证业绩增长的原因。相关负责人表示，“主要是产品结构优化和产能扩张。可以说IDM模式对公司有利。”
世维近日发布的投资者调研活动也介绍了IDM模式对公司的影响。
“相比涨价，公司更注重技术和规模的提升，这是IDM的优势，可以不断提升规模，快速迭代技术。”董事会秘书兼财务总监陈悦说。
在缺芯的环境下，士兰威这种IDM模式的优势得到了充分的展现。
该模式包括芯片设计、晶圆制造、封装测试等业务环节。Fabless这种轻资产管理模式，需要找代工，在核心短缺的大潮下，面临供应短缺和价格上涨的风险。而IDM模式半导体企业在设计产能上适应性更强，交付周期更短，产能供应更稳定，受外部影响更小。
首创证券指出，2020年芯片供应紧张期间，国内以IDM模式运营的功率半导体厂商MOS的交货期可以维持在3个月左右，是无晶圆厂企业的一半。此外，在国际形势趋紧的背景下，“自给自足”的IDM厂商不必依赖海外代工厂，IDM模式的时效性和独立性优势得到充分展现。所以IDM厂商的利润增速明显高于无晶圆厂厂商。
另一方面，士兰威也有比较完整的生产线类型，它设立了几个子公司，明确布局半导体产业链的设计、制造、封装、测试各个环节。
据悉，士兰威IC的设计主要由总部承担。
晶圆制造的工作主要由兰斯集成、兰斯纪信、兰斯纪可和兰斯明伽子公司进行，定位5-6英寸兼容生产线、8英寸生产线、12英寸特色工艺生产线和4-6英寸兼容复合生产线。外延片由成都石兰生产。成都集佳主要负责封口和检测。此外，施兰明芯负责LED芯片的设计和生产，麦加光电负责LED封装。
2021年，石兰集成实现营收16.6亿元，全面投产，共生产5英寸和6英寸芯片255.44万片，比上年增长7.54%。8英寸线上，石兰纪信共生产65.73万件，比上年增长14.90%，实现营业收入11.55亿元，比上年增长39.32%。高附加值的产品很多，如高压超结MOS管、高密度低电压沟槽栅MOS管、大功率IGBT、MEMS传感器、BCD电路等。，实现量产。
值得一提的是，近年来，士兰威正在积极布局12寸线。
12寸晶圆是目前主流市场最大的晶圆尺寸，其生产线资金投入大，技术壁垒高，建设周期长。因此，施蓝威与厦门半导体共同投资的项目公司施蓝奇科是公司12英寸晶圆生产线建设的主阵地。
目前，一期产能建设已经完成。去年史兰基克月产量超过3.6万件，年产量超过20万件。今年2月底，士兰威还携手大基金二期共同出资8.85亿元，认购了士兰威分公司新增注册资本，将用于“24万片12英寸高压集成电路及功率器件芯片技术升级及扩产”项目。
通风的地方/地点/角落
外部环境的变化也是刺激业绩增长的重要因素。
业务方面，2021年士兰威业绩爆发的底层逻辑是下游对功率半导体需求的高景气。
在公司三大产品中，兰斯微分立器件产品占比最高。公司相关负责人告诉21世纪经济报道记者，“功率器件和分立器件有一些区别，但公司的功率器件是分立器件的很大一部分。”
年报显示，去年，石兰微分立器件营业收入38.13亿元，同比增长73.08%，毛利率32.89%，同比增长8.89%。
在分立器件产品中，公司的MOSFET、IGBT、IGBT大功率模块(PIM)、肖特基管、稳压器管、开关管、TVS管、快恢复管等产品增长迅速。其中，以超结MOSFET、IGBT、FRD、高性能低压分栅MOSFET等为代表的功率半导体分立器件性能达到行业领先水平。
2021年，受益于消费电子、新能源汽车、变频家电等行业的回暖，功率半导体供不应求，引发一波涨价潮，成为半导体领域最繁荣的细分领域之一。
据信达证券研报分析，目前在新能源汽车领域，功率半导体的消耗约为350美元，约为传统燃油汽车的5倍。在变频家电领域，单个功率半导体的价值可达9.5欧元，比非变频家电高出近13倍。
卫兰表示，其分立器件和大功率模块除了加速在白电、工控等市场的市场拓展外，还开始加速进入新能源汽车、光伏等市场。预计未来公司分立器件产品收入将持续快速增长。
据21世纪经济报道记者了解，士兰威在变频空调制领域已经享有知名度，客户包括美的、格力等。此外，公司目前正在拓展新能源汽车市场，车用IGBT模块已交付SAIC、BAIC等国内知名厂商测试，并开始小规模供货。
展望未来，从RD项目来看，士兰威正着眼于新能源汽车产业发展的机遇。
具体来说，士兰威未来的产品和技术侧重于先进的车辆法规和工业级电源管理产品；汽车和工业功率半导体器件和模块技术(含化合物SiC和GaN的芯片的设计、制造和封装)；MEMS传感器产品和技术；汽车和工业信号链混合信号处理电路；光电产品系列。
不过，士兰威相关负责人向本报记者坦言，“新能源汽车是比较长远的规划，也是公司的主要方向之一，但目前营收还是比较少的。”
命令
在卫兰年报披露的新能源相关突破中，IGBT是最受市场期待的。IGBT占新能源汽车功率半导体的80%左右，是汽车电气化最有利的细分领域。三方曾预测，2025年中国新能源汽车销量将达到654万辆，渗透率达到21%，预计将带动中国新能源汽车IGBT市场从2020年的27.3亿元增长至2025年的112.6亿元。
根据英飞凌官网披露的信息，2019年，士兰威IGBT器件全球市场份额为2.2%，排名前十。2021年上半年，世维IGBT器件营收达1.9亿元，同比增长110%。
年报显示，2021年，士兰威自主研发的V代IGBT和FRD芯片电动车主电机驱动模块已通过国内多家客户的测试，并批量供应给部分客户。据《科技创新板日报》去年底报道，比亚迪已正式下单兰斯微型车IGBT，订单金额1亿元。
在客户订单问题上，世伟表示，“具体客户很难回应，也不知道市场的风是从哪里吹出来的。”
然而，一些私人股本研究人员对士兰威IGBT的供应前景持乐观态度。“代工厂商青睐IDM模式厂商，因为IDM厂商不仅可以独立高效的保障产能，还可以省去验证其他产业链公司的环节；其次，石兰微产能规模居全国前列。在得到主要客户的认可后，兰斯微型车IGBT有望获得爆发式增长。”
在4月1日发布的投资者调查上，施蓝威谈到了集成电路板的规划和战略。它还表示，重点将放在车辆法规和工业电源管理产品、电源IC、信号链和混合信号处理电路、MEMS传感器等方面。
从项目布局来看，2022年，士兰威还将在汽车领域推进“汽车及工业用功率模块和功率集成器件封装生产线建设项目一期”，扩大功率器件和功率模块封装生产线投资。项目总投资7.58亿元，建设期2年，生产期2年。目前工程进度27%。
此外，士兰威还延伸上游材料的布局，专注于SiC器件和模块的量产。
SiC是高温、高频、高压、大功率和抗辐射应用的理想半导体材料。SiC功率器件可以显著降低电子设备的能耗，使新能源汽车的系统效率更高。
根据年报，兰斯微碳化硅功率器件中试线已于去年上半年完成。汽车仪表级SiC-MOSFET将被发送给客户进行评估和量产。在建的6英寸SiC功率器件芯片生产线预计2022年第三季度完工。
卫兰曾向媒体谈到IGBT和SiC的市场前景。他认为，SiC在汽车应用方面确实有一定优势，但目前成本很高，难以在短时间内实现产业化，产量也满足不了汽车日益增长的需求。“所以IGBT是未来的主流，包括英飞凌在内的国际厂商都认识到IGBT和碳化硅是未来的一个组合。”
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