Tiny Flash Database for MCU.
下载链接：https://github.com/smartmx/TFDB
TinyFlashDB设计前言在单片机日常开发中，总会需要存储一些信息，这时就需要使用单片机FLASH存储的方案，目前单片机存储的方案有很多，比如：EASYFLASH、FLASHDB、OSAL_NV等等方案，他们程序都非常大，在存储不多的变量时不值得。而且现有方案的代码中很少有考虑到flash写入出错的情况。
在实际产品中，嵌入式产品flash写入可能会受各种因素影响（电池供电、意外断电、气温等）从而并不是很稳定，一旦出现错误，会导致产品一系列问题。
不同于其他很多的KV型数据库，TinyFlashDB每一个需要存储的变量都会分配一个单独的单片机flash扇区，变量长度不可变。
TinyFlashDB在设计时就考虑了写入错误的影响，追求力所能及的安全保障、资源占用方面尽可能的缩小（不到1kb代码占用）、尽可能的通用性（可以移植到51等8位机，无法逆序写入的stm32L4系列，某些flash加密的单片机和其他普通32位机上）。
const tfdb_index_t test_index = {
.end_byte = 0x00,
.flash_addr = 0x4000,
.flash_size = 256,
.value_length = 2,
};
tfdb_addr_t addr = 0;
uint8_t test_buf[4];
uint16_t test_value;
void main()
{
TFDB_Err_Code result;
result = tfdb_set(&test_index, test_buf, &addr, &test_value);
if(result == TFDB_NO_ERR)
{
printf("set ok, addr:%xn", addr);
}
result = tfdb_get(&test_index, test_buf, &addr, &test_value);
if(result == TFDB_NO_ERR)
{
printf("get ok, addr:%x, value:%xn", addr, test_value);
}
}
TinyFlashDB API介绍
typedef struct _tfdb_index_struct{
tfdb_addr_t flash_addr;
uint16_t flash_size;
uint8_t value_length;
uint8_t end_byte;
}tfdb_index_t;
结构体功能：在TinyFlashDB中，API的操作都需要指定的参数index，该index结构体中存储了flash的地址，flash的大小，存储的变量的长度，结束标志位。 在读取flash扇区时会去校验此信息。
TFDB_Err_Code tfdb_get(const tfdb_index_t *index, uint8_t *rw_buffer, tfdb_addr_t *addr_cache, void* value_to);
函数功能：从index指向的扇区中获取一个index中指定变量长度的变量，flash头部数据校验出错不会重新初始化flash。
参数 index：tfdb操作的index指针。
参数 rw_buffer：写入和读取的缓存，所有flash的操作最后都会将整理后的数据拷贝到该buffer中，再调用tfdb_port_write或者tfdb_port_read进行写入。当芯片对于写入的数据区缓存有特殊要求（例如4字节对齐，256字节对齐等），可以通过该参数将符合要求的变量指针传递给函数使用。至少为4字节长度。
参数 addr_cache：可以是NULL，或者是地址缓存变量的指针，当addr_cache不为NULL，并且也不为0时，则认为addr_cache已经初始化成功，不再校验flash头部，直接从该addr_cache的地址读取数据。
参数 value_to：要存储数据内容的地址。
返回值：TFDB_NO_ERR成功，其他失败。
TFDB_Err_Code tfdb_set(const tfdb_index_t *index, uint8_t *rw_buffer, tfdb_addr_t *addr_cache, void* value_from);
函数功能：在index指向的扇区中写入一个index中指定变量长度的变量，flash头部数据校验出错重新初始化flash。
参数 index：tfdb操作的index指针。
参数 rw_buffer：写入和读取的缓存，所有flash的操作最后都会将整理后的数据拷贝到该buffer中，再调用tfdb_port_write或者tfdb_port_read进行写入。当芯片对于写入的数据区缓存有特殊要求（例如4字节对齐，256字节对齐等），可以通过该参数将符合要求的变量指针传递给函数使用。至少为4字节长度。
参数 addr_cache：可以是NULL，或者是地址缓存变量的指针，当addr_cache不为NULL，并且也不为0时，则认为addr_cache已经初始化成功，不再校验flash头部，直接从该addr_cache的地址读取数据。
参数 value_from：要存储的数据内容。
返回值：TFDB_NO_ERR成功，其他失败。
TinyFlashDB设计原理观察上方代码，可以发现TinyFlashDB的操作都需要tfdb_index_t定义的index参数。
Flash初始化后头部信息为4字节，所以只支持1、2、4、8字节操作的flash：
头部初始化时会读取头部，所以函数中rw_buffer指向的数据第一要求至少为4字节，如果最小写入单位是8字节，则为第一要求最少为8字节。
| 第一字节 | 第二字节 | 第三字节 | 第四字节和其他对齐字节 |
|---|---|---|---|
| flash_size高8位字节 | flash_size低8位字节 | value_length | end_byte |
数据存储时，会根据flash支持的字节操作进行对齐，所以函数中rw_buffer指向的数据第二要求至少为下面函数中计算得出的aligned_value_size个字节：
aligned_value_size = index->value_length + 2;
#if (TFDB_WRITE_UNIT_BYTES==2)
aligned_value_size = ((aligned_value_size + 1) & 0xfe);
#elif (TFDB_WRITE_UNIT_BYTES==4)
aligned_value_size = ((aligned_value_size + 3) & 0xfc);
#elif (TFDB_WRITE_UNIT_BYTES==8)
aligned_value_size = ((aligned_value_size + 7) & 0xf8);
#endif
| 前value_length个字节 | 第value_length+1字节 | 第value_length+2字节 | 其他对齐字节 |
|---|---|---|---|
| value_from数据内容 | value_from的和校验 | end_byte | end_byte |
每次写入后都会再读取出来进行校验，如果校验不通过，就会继续在下一个地址写入。指导达到最大写入次数（TFDB_WRITE_MAX_RETRY）或者头部校验错误。
读取数据时也会计算和校验，不通过的话继续读取，直到返回校验通过的最新数据，或者读取失败。
TinyFlashDB移植和配置 移植使用只需要在tfdb_port.c中，编写完成三个接口函数，也要在tfdb_port.h中添加相应的头文件和根据不同芯片修改宏定义TFDB_Err_Code tfdb_port_read(tfdb_addr_t addr, uint8_t *buf, size_t size); TFDB_Err_Code tfdb_port_erase(tfdb_addr_t addr, size_t size); TFDB_Err_Code tfdb_port_write(tfdb_addr_t addr, const uint8_t *buf, size_t size);所有的配置项都在tfdb_port.h中
#define TFDB_USE_STRING_H 1
#if TFDB_USE_STRING_H
#include "string.h"
#define tfdb_memcpy memcpy
#define tfdb_memcmp memcmp
#define TFDB_MEMCMP_SAME 0
#else
#define tfdb_memcpy
#define tfdb_memcmp
#define TFDB_MEMCMP_SAME
#endif
#define TFDB_DEBUG printf
#define TFDB_VALUE_AFTER_ERASE 0xff
#define TFDB_WRITE_UNIT_BYTES 8
#define TFDB_WRITE_MAX_RETRY 32
typedef uint32_t tfdb_addr_t;
Demo
STM32F429IGT6
CH583
