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一.用场效应管设计非门

C/C++/C# 更新时间: 发布时间: IT归档 最新发布 模块sitemap 名妆网 法律咨询 聚返吧 英语巴士网 伯小乐 网商动力

一.用场效应管设计非门

目录

MOS简单介绍

1.NMOS管

2.PMOS管

非门分析

电路图

1.输入为高电平时

2.输入为低电平时


MOS简单介绍

1.NMOS管

​​​​​​​

NMOS管由正电压导通

当栅源极电压差大于场效应管的导通电压时,漏极与源极就会导通

当栅源极电压差小于场效应管的导通电压时,漏极与源极就会截止

2.PMOS管

PMOS管由负电压导通

当栅源极电压差小于场效应管的导通电压时,漏极与源极就会导通

当栅源极电压差大于场效应管的导通电压时,漏极与源极就会截止

非门分析

电路图

1.输入为高电平时

输入为高电平时,正电压导通的NMOS管导通,负电压导通的PMOS管截止。

因此输出端与地相连,输出为低电平。

2.输入为低电平时

 输入为低电平时,负电压导通的PMOS管导通,正电压导通的NMOS管截止。

因此输出端与电源相连,输出为高电平。

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