FLASH模拟EEPROM实验

FLSH操作总结：

1， 锁定解锁函数

上面讲解到在对FLASH进行写操作前必须先解锁，解锁操作也就是必须在FLASH_KEYR寄存器写入特定的序列（KEY1和KEY2）,固件库函数实现：

void FLASH_Unlock(void)；COPY

同样的道理，在对FLASH写操作完成之后，我们要锁定FLASH

void FLASH_Lock(void)；COPY

2，写操作函数

固件库提供了三个FLASH写函数：

FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);COPY

顾名思义分别为：FLASH_ProgramWord为 32位字写入函数，其他分别为16位半字写入和用户选择字节写入函数。这里需要说明，32位字节写入实际上是写入的两次16位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的STM32闪存的编程每次必须写入16位并不矛盾。写入8位实际也是占用的两个地址了，跟写入16位基本上没啥区别。

3，擦除函数

固件库提供三个FLASH擦除函数：

FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);COPY

这三个函数顾名思义，第一个函数是页擦除函数，根据页地址擦除特定的页数据，第二个函数是擦除所有的页数据，第三个函数是擦除用户选择字节数据。这三个函数使用非常简单。

4，获取状态函数

主要是用的函数是：

       FLASH_Status FLASH_GetStatus(void)；COPYCOPY

返回值是通过枚举类型定义的：

typedef enum
{ 
  FLASH_BUSY = 1,//忙
  FLASH_ERROR_PG,//编程错误
  FLASH_ERROR_WRP,//写保护错误
  FLASH_COMPLETE,//操作完成
  FLASH_TIMEOUT//操作超时
}FLASH_Status;COPY

从这里面我们可以看到FLASH操作的5个状态，每个代表的意思我们在后面注释了。

5，等待操作完成函数

在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前，我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。使用的函数是：
FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout)；
入口参数为等待时间，返回值是FLASH的状态，这个很容易理解，这个函数本身我们在固件库中使用得不多，但是在固件库函数体中间可以多次看到。

6，读FLASH特定地址数据函数

有写就必定有读，而读取FLASH指定地址的半字的函数固件库并没有给出来，这里我们自己写的一个函数：

u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
    return *(vu16*)faddr; 
}COPY

程序思路:

W25QXX_Write函数思路:

1,每个sector是2K，也就是2048个地址
2,在写任何一个地址之前，如果该地址的值不是0xFF，必须先擦除对应的sector,然后再写

STMFLASH_Write函数思路：

1，根据要写的起始地址，确定要写的起始区域的Sector号以及在起始 sector中的偏移量。
2，根据要写的起始地址和字节数，确定要写的数据是否跨sector。
3，确定好要操作的sector以及sector的地址范围。
4，对每一个sector，先遍历要写的地址区域保存的数据是不是0xff，如果都是，就不用擦除。如果有不是0xff的区域，先读出里面的数据，保存在缓存STMFLASH_BUF，然后擦除里面的内容。然后把这个sector要操作的数据，写到缓存。最后一次性吧缓存STMFLASH_BUF的数据写到这个对应的sector。

手写代码：

stmflash.h：

#ifndef __STMFLASH_H__
#define __STMFLASH_H__
#include "sys.h"  

//用户根据自己的需要设置
#define STM32_FLASH_SIZE    512             //所选STM32的FLASH容量大小(单位为K)
#define STM32_FLASH_WREN    1               //使能FLASH写入(0，不是能;1，使能)
//

//FLASH起始地址
#define STM32_FLASH_base 0x08000000         //STM32 FLASH的起始地址
//FLASH解锁键值
#define FLASH_KEY1               0x45670123
#define FLASH_KEY2               0xCDEF89AB

void STMFLASH_Unlock(void);                   //FLASH解锁
void STMFLASH_Lock(void);                     //FLASH上锁
u8 STMFLASH_GetStatus(void);                  //获得状态
u8 STMFLASH_WaitDone(u16 time);               //等待操作结束
u8 STMFLASH_ErasePage(u32 paddr);             //擦除页
u8 STMFLASH_WriteHalfWord(u32 faddr, u16 dat);//写入半字
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr);         //读出半字  
void STMFLASH_WriteLenByte(u32 WriteAddr,u32 DataToWrite,u16 Len);  //指定地址开始写入指定长度的数据
u32 STMFLASH_ReadLenByte(u32 ReadAddr,u16 Len);                     //指定地址开始读取指定长度数据
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite);     //从指定地址开始写入指定长度的数据
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead);        //从指定地址开始读出指定长度的数据

//测试写入
void Test_Write(u32 WriteAddr,u16 WriteData);                                  
#endif
COPY

stmflash.c：

#include "stmflash.h"
#include "delay.h"
#include "usart.h"

//解锁STM32的FLASH
void STMFLASH_Unlock(void)
{
    FLASH->KEYR=FLASH_KEY1;//写入解锁序列.
    FLASH->KEYR=FLASH_KEY2;
}
//flash上锁
void STMFLASH_Lock(void)
{
    FLASH->CR|=1CR|=1CR|=1<20ms  
        if(res!=1)//非忙
        {
            FLASH->CR&=~(1 
main.c: 
#include "sys.h"
#include "delay.h"
#include "usart.h" 
#include "led.h"             
#include "lcd.h"  
#include "key.h"  
#include "stmflash.h"  
#include "usmart.h" 

//要写入到STM32 FLASH的字符串数组
const u8 TEXT_Buffer[]={"STM32F103 FLASH TEST"};
#define SIZE sizeof(TEXT_Buffer)        //数组长度
#define FLASH_SAVE_ADDR  0x08070000     //设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大小+0x08000000)

int main(void)
{       
    u8 key=0;
    u16 i=0;
    u8 datatemp[SIZE];     
    Stm32_Clock_Init(9);        //系统时钟设置
    uart_init(72,115200);       //串口初始化为115200
    delay_init(72);             //延时初始化 
    usmart_dev.init(72);        //初始化USMART     
    LED_Init();                 //初始化与LED连接的硬件接口
    KEY_Init();                 //初始化按键
    LCD_Init();                 //初始化LCD  
    POINT_COLOR=RED;            //设置字体为红色 
    LCD_ShowString(30,50,200,16,16,"ELITE STM32F103 ^_^");  
    LCD_ShowString(30,70,200,16,16,"FLASH EEPROM TEST");    
    LCD_ShowString(30,90,200,16,16,"ATOM@ALIENTEK");
    LCD_ShowString(30,110,200,16,16,"2015/1/18"); 
    LCD_ShowString(30,130,200,16,16,"KEY1:Write  KEY0:Read");
    while(1)
    {
        key=KEY_Scan(0);
        if(key==KEY1_PRES)  //KEY1按下,写入STM32 FLASH
        {
            LCD_Fill(0,170,239,319,WHITE);//清除半屏    
            LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"Start Write FLASH....");
            STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)TEXT_Buffer,SIZE);
            LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"FLASH Write Finished!");//提示传送完成
        }
        if(key==KEY0_PRES)  //KEY0按下,读取字符串并显示
        {
            LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"Start Read FLASH.... ");
            STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)datatemp,SIZE);
            LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"The Data Readed Is:  ");//提示传送完成
            LCD_ShowString(30,190,200,16,16,datatemp);//显示读到的字符串
        }
        i++;
        delay_ms(10);  
        if(i==20)
        {
            LED0=!LED0;//提示系统正在运行   
            i=0;
        }          
    } 
}
COPY
 
实验现象： 
液晶屏上显示KEY1：Write KEY0：Read
 按下KEY1，写入数据
 按下KEY0，查看写入数据，液晶屏显示“STM30F103 FLASH TEST”
 
 
本文转载自：FLASH模拟EEPROM实验 – 布尔博客
 
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