刷新——对DRAM定期进行的全部重写过程;
刷新原因——因电容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰减需要及时补充，因此安排了定期刷新操作;
常用的刷新方法有三种——集中式、分散式、异步式。
刷新与再生的比较：
共同点：
•动作机制一样。都是利用DRAM存储元破坏性读操作时的重写过程实现;
•操作性质一样。都是属于重写操作。
区别：
•解决的问题不一样。再生主要解决DRAM存储元破坏性读出时的信息重写问题;刷新主要解决长时间不访存时的信息衰减问题。
•操作的时间不一样。再生紧跟在读操作之后，时间上是随机进行的;刷新以最大间隔时间为周期定时重复进行。
•动作单位不一样。再生以存储单元为单位，每次仅重写刚被读出的一个字的所有位;刷新以行为单位，每次重写整个存储器所有芯片内部存储矩阵的同一行。
•芯片内部I/O操作不一样。读出再生时芯片数据引脚上有读出数据输出;刷新时由于CAS信号无效，芯片数据引脚上无读出数据输出(唯RAS有效刷新，内部读)。鉴于上述区别，为避免两种操作混淆，分别叫做再生和刷新。
CPU访存周期与存取周期的区别：
CPU访存周期是从CPU一边看到的存储器工作周期，他不一定是真正的存储器工作周期;存取周期是存储器速度指标之一，它反映了存储器真正的工作周期时间。
分散刷新是在读写周期之后插入一个刷新周期，而不是在读写周期内插入一个刷新周期，但此时读写周期和刷新周期合起来构成CPU访存周期。
刷新定时方式有3种而不是2种，一定不要忘了最重要的异步刷新方式。
