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国产芯片取得突破,云南大学破冰新技术,比台积电1nm材料更优秀

国产芯片取得突破,云南大学破冰新技术,比台积电1nm材料更优秀

近年来,芯片工艺制程的微缩令全球集成电路领域产生了摩尔定律即将面临物理极限的恐慌。受市场需求的影响,各大专业晶圆代工厂以及芯片制造设备商都在想方设法地将摩尔定律延续下去。不过,尽管现阶段台积电、阿斯麦等可以联手制造出1nm芯片,但受原材料自身的局限性,硅晶体很难支持摩尔定律继续向前。因此,无论台积电、阿斯麦攻克了怎样的技术,全球半导体产业都必须要找到下一代芯片材料。就在前段时间,国产半导体取得材料方面的突破,比台积电1nm材料更优秀。科技日报消息,6月20日云南大学材料与能源学院透露:该学院的杨鹏、万艳芬团队,突破了硫化铂材料瓶颈,解决了类石墨烯材料大面积均匀少层硫化铂的合成及其结构和物理性能的一系列问题。资料显示,硫化铂是可以被应用于半导体领域芯片制程中的过渡金属硫族化合物原材料,属于类石墨烯材料的一种。相比硅晶体、石墨烯材料,硫化铂在性能方面更出色。值得注意的是,硫化铂还同时具备大容量、高架空性、出众的内部结构稳定性、透光性以及杂质较少的优势。而且,相比提纯难度大、内部构造不稳定的石墨烯,具备较宽能量间隙以及高可控性的硫化铂,被业界视为延续摩尔定律的最佳候选材料之一。除了相比石墨烯以及传统的硅有多方面优势之外,硫化铂与被台积电用于1nm测试的半金属铋元素相比,还拥有低成本、高产出效率以及优异的实际性能等优势。综合来看,笔者认为硫化铂很有可能成为取代硅的下一任芯片原材料。而云南大学在这类原材料上的突破,就变得意义重大。放眼全国半导体产业,虽然中国企业在很多环节已经掌握了一定的主动权,但在大部分核心技术、材料或设备上仍然受制于海外。因此,在芯片原材料上掌握先机,可以推动国产集成电路、光电子等半导体产业的快速进阶。如果将来硫化铂成为取代硅的第一材料,那么中国半导体将实现弯道超车。现阶段海外在多方面的技术封锁将不攻自破。笔者了解到,云南大学的这项研究成功以及发表在《现代材料物理学》上,你认为这有可能成为国产芯片的里程碑事件吗?

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