半导体材料中,离子注入与离子掺杂有什么区别?

离子注入是离子参杂的一种。随着VLSI器件的发展,到了70年代,器件尺寸不断减小,结深降到1um以下,扩散技术有些力不从心。在这种情况下,离子注入技术比较好的发挥其优势。目前,结深小于1um的平面工艺,基本都采用离子注入技术完成掺杂。离子注入技术已经成为VLSI生产中不可缺少的掺杂工艺。离子注入具有如下的特点:①可以在较低温度下（400℃）进行,避免高温处理；②通过控制注入时的电学条件（电流、电压）可以精确控制浓度和结深,更好的实现对杂质分布形状的控制。而且杂质浓度不受材料固溶度的限制；③可选出一种元素进行注入,避免混入其他杂质；④可以在较大面积上形成薄而均匀的掺杂层。同一晶片上杂质不均匀性优于1％,且横向掺杂比扩散小的多；⑤控制离子束的扫描区域,可实现选择注入并进而发展为一种无掩模掺杂技术。