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电容损耗包括:介质损耗,金属部分损耗。介质损耗是介质在电场下的极化过程使分子间碰撞而消耗的能量,从而产生损耗,在实际中,等效电阻是造成电容损耗的主要原因,介质损耗通常被忽略!通常用损耗角正切值来表示有功损耗与无功损耗之比即为损耗因数tgδ,或以串联等效电阻ESR同容抗1/WC之比。我们可以用LCR测试仪去测量,铝电解设置频率120HZ,金膜电容设置1KHZ,去测量!
最新回答共有2条回答
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2026-04-09 01:25:40寂寞的白昼
回复电容损耗包括:介质损耗,金属部分损耗。介质损耗是介质在电场下的极化过程使分子间碰撞而消耗的能量,从而产生损耗,在实际中,等效电阻是造成电容损耗的主要原因,介质损耗通常被忽略!通常用损耗角正切值来表示有功损耗与无功损耗之比即为损耗因数tgδ,或以串联等效电阻ESR同容抗1/WC之比。我们可以用LCR测试仪去测量,铝电解设置频率120HZ,金膜电容设置1KHZ,去测量!
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