PN结问题,P型半导体的空穴问题

PN结问题,P型半导体的空穴问题P型半导体（P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名）：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中,由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代,硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候,会产生一个“空穴”,这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”,使得硼原子成为带负电的离子.这样,这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷）,成为能够导电的物质,来自百度百科.我想知道硼和硅的空穴是怎样形成的,硼的最外层电子是3,硅的最外层电子是4 最外层形成共价键的话是7不能保持8个电子的稳定结构.那一个电子从哪里借,从别的硅和硼原子吗?还是从N型半导体的多余的那一个自由电子,如果是从N借的话,那么这不能叫空穴吧,空穴带正电,