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矮小的过客
2026-04-03 09:03:06
从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型,IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合,通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻,但同时也会引入一些拖尾电流等问题；从产品来说,IGBT一般用在高压功率产品上,从600V到几千伏都有；MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右；
最新回答共有2条回答
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2026-04-03 09:03:06单身的泥猴桃
回复从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型,IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合,通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻,但同时也会引入一些拖尾电流等问题；从产品来说,IGBT一般用在高压功率产品上,从600V到几千伏都有；MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右；
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