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如图所示,水平的平行虚线间距为d=50cm,其间有B=1.0T的匀强磁场.一个正方形线圈abcd边长为L=10cm,线圈质量m=100g,电阻为R=0.02Ω.

如图所示,水平的平行虚线间距为d=50cm,其间有B=1.0T的匀强磁场.一个正方形线圈abcd边长为L=10cm,线圈质量m=100g,电阻为R=0.02Ω.

题文

如图所示,水平的平行虚线间距为d=50cm,其间有B=1.0T的匀强磁场.一个正方形线圈abcd边长为L=10cm,线圈质量m=100g,电阻为R=0.02Ω.开始时,线圈的下边缘到磁场上边缘的距离为h=80cm.将线圈由静止释放,其下边缘刚进入磁场和刚穿出磁场时的速度相等.取g=10m/s2,求:(1)线圈cd边穿过磁场过程中产生的电热Q
(2)线圈ab边穿越磁场过程中加速度的最小值a.

题型:未知 难度:其他题型

答案


(1)线圈从1到2位置自由落体运动,有   v02=
         3位置时线圈速度一定最小,而3到4位置线圈是匀变速运动,有
            v02-v2=2g(d-L)                                                       
           得v=22m/s                                     
    由于线圈完全处于磁场中时不产生感应电流,不产生电热,所以线圈进入磁场过程中产生的电热Q1就是线圈从图中2位置到4位置产生的电热,而2、4位置动能相同,由能量守恒Q1=mgl=0.5J
      (2)2到3位置是减速过程,因此安培力减小,3位置加速度最小
          安培力F=B2l2vR                                    
       由F-mg=ma                                               
     可知加速度减小,到3位置时加速度最小,
   代入解得a=4.1m/s2
答:(1)线圈cd边穿过磁场过程中产生的电热Q=0.5J.
     (2)线圈ab边穿越磁场过程中加速度的最小值a=4.1m/s2.

自由落体运动知识点讲解,巩固学习

解析

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